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科民ALD實現(xiàn)高質(zhì)量依(Ir)單質(zhì)沉積

發(fā)布時間:

2019/01/10

金屬銥單質(zhì)在光學(xué)器件、催化等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前果。科民電子利用PE-ALD設(shè)備攻克了銥源前驅(qū)體不易擴散等難點，成功實現(xiàn)高質(zhì)量單質(zhì)銥SEM結(jié)果顯示(Ir）鍍膜均勻,無空隙，完全滿足高端用戶的需求。

科民ALD實現(xiàn)高質(zhì)量依(Ir)單質(zhì)沉積

　　金屬銥單質(zhì)在光學(xué)器件、催化等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前果。科民電子利用PE-ALD設(shè)備攻克了銥源前驅(qū)體不易擴散等難點，成功實現(xiàn)高質(zhì)量單質(zhì)銥SEM結(jié)果顯示(Ir）鍍膜均勻,無空隙，完全滿足高端用戶的需求。

 

SEM 50K:ALD Ir thin film、PEALD設(shè)備